我國LED產業已初具規模，從LED主要技術指標光效來看，還有很大的推進空間，要加大對LED的研發力度，掌握LED核心技術，突破國外專利制約，進一步拓展國內外半導體照明市場，擴大我國LED產業規模，為人們提供節能、環保、健康、舒適的照明環境。關于芯片領域的概況如下(未統計2015年)，僅供參考。

LED襯底簡況

目前用于LED產業化的襯底主要有藍寶石(Al2O3)、SiC、Si和GaN。

Cree用SiC襯底，全球很多企業正在開發Si襯底，東芝曾經宣布投產8″Si襯底。其余的企業以藍寶石為主，全球生產藍寶石襯底有130多家，其中80多家是近兩年加入的。目前以2″和4″襯底片為主，幾年后將以6″為主，會達到50%以上。有人預測2016年藍寶石、Si和GaN這三類襯底將各占三分之一。近幾年全球正在研究開發很多LED新襯底，并取得突破性進展。

中國開發、生產藍寶石襯底的企業50多家，其中已投產20多家，我國生產能力已超過1億片/年(以2″計算)，超過全球的需求量，而且藍寶石企業直接生產PSS襯底的不多，目前藍寶石國產化約50%，企業的競爭力較差，走向轉型、整合、兼并是必然的。另外，南昌晶能采用Si襯底量產LED，國內還有很多研究所、企業正在開發同質襯底、復合襯底和SiC襯底，并取得很大成果。

LED外延及芯片產業簡況

全球從事LED外延及芯片研發生產單位約169家(另有報導為142家)，共有MOCVD設備約3000臺(另有報導為2800臺)，其生產能力以4″計算為200萬片/月，其中比例大約為：中國25.8%、臺灣21.8%、日本19.2%、韓國17.3%、美國11%、歐洲2.8%。

中國LED外延及芯片企業50多家，其中投產的30多家，開工率為50~60%，產量超過1000億只(含小芯片和四元系芯片)，產值約84億元(另有報導為105億元)。由于國內上游企業過多，大部分企業規模偏小，走向整合、兼并是必然的。另外國內有十幾二十家企業正在研發制造MOCVD設備，有的已在上游企業試用或正式投產。還有外延用的MO源：三甲基(鎵、銦、鋁、銻)、三乙基(鎵、銻)、二甲基鋅、二乙基(鋅、碲)等國產化率已達60%。

LED主要技術指標

日亞、飛利浦、歐司郎等幾個大企業實驗室水平，光效均超過200lm/w，Cree公司實驗室光效已超過276 lm/w。首爾半導體“npolo”LED，聲稱在1mm2芯片上要實現1000光通量，三菱化學同樣提出達1000lm光通量，稱為LED光源的終極目標。日本田村制作提出在2mm見方芯片要實現2000~3000 lm光通量。美國加洲大學圣巴巴拉分校提出光效要達到300 lm/w。美國Soraa公司采用GaN-on-GaN技術制作LED替代燈，使每盞燈用一只LED器件，譜寫了LED技術新篇章，即LED2.0版。美國SSL計劃修定中提出LED光效產業化水平達266 lm/w為終極目標。目前全球LED產業化光效水平為120~150 lm/w。

發光新材料

發光新材料將來有可能進入照明領域，與LED照明競爭。

(1)有機發光二極管

目前OLED有效的光效一般在30~60 lm/w，將在特種照明領域獲得應用。據國外相關機構預測：OLED照明市場于2021年將達400多億美元，另一機構預測于2018年達400億美元?，F階段主要問題除某些技術外，價格偏高，但前景是樂觀的。

(2)量子點發光技術

量子點(Quantun Dot簡寫QD)是用納米技術制作的，QD顆粒一般在2~12nm之間，量子點發光體由發光核、半導體殼、有機配位體組成，在電或短波光的激發下會發射不同波長的光，接近連續可見光光譜，例如CdSe(硒化鎘)當顆粒2.1nm時發藍光，當5nm時發射綠光，接近10nm時發射接近紅光，其優點：發光穩定、內量子效率高。

目前量子點發光效率接近OLED水平，QD發光具有廣泛應用，除了在顯示及照明領域外，還可應用于藍光激光、光感測元件、單電子晶體管、記憶儲存……，現階段QD主要在顯示應用上取得顯著效果，將最有希望替代OLED。在照明方面與LED結合產生色彩豐富，十分明亮的暖白光。

(3)超薄非結晶電介層發光芯片

由美國德洲農機大學化學工程系開發的一種發光芯片、采用在硅晶園上進行室溫濺射沉積方法，制成電介質膜，其中有納米晶層，可提升發光密度，在工藝中可與硅IC兼容，工藝簡單，是個新的納米發光材料技術。雖然目前發光壽命較短，但將來會更長。

小結：上述幾種發光新材料，OLED在照明領域的份額遲早提升，而且會在特殊照明領域中占有一定比例。至于量子點及超薄介質中的發光層均為納米級量子層，是納米發光新材料。應要高度重視納米發光技術的研究和開發，將來有可能進入照明領域，并替代LED照明產品。